N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip TN2106N3-G

RS kodas: 177-9692Gamintojas: MicrochipGamintojo kodas: TN2106N3-G
brand-logo
View all in MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Pakuotės tipas

TO-92

Tvirtinimo tipas

Through Hole

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

740 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Plotis

4.06mm

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

5.08mm

Aukštis

5.33mm

Serija

TN2106

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.8V

Kilmės šalis

Taiwan, Province Of China

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 0,552

Each (In a Bag of 1000) (be PVM)

€ 0,668

Each (In a Bag of 1000) (su PVM)

N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip TN2106N3-G
sticker-462

€ 0,552

Each (In a Bag of 1000) (be PVM)

€ 0,668

Each (In a Bag of 1000) (su PVM)

N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip TN2106N3-G
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
sticker-462

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Pakuotės tipas

TO-92

Tvirtinimo tipas

Through Hole

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

740 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Plotis

4.06mm

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

5.08mm

Aukštis

5.33mm

Serija

TN2106

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.8V

Kilmės šalis

Taiwan, Province Of China