Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
580 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
26 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.71mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Plotis
4.93mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
16.13mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,312
Each (In a Tube of 10) (be PVM)
€ 1,588
Each (In a Tube of 10) (su PVM)
10
€ 1,312
Each (In a Tube of 10) (be PVM)
€ 1,588
Each (In a Tube of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,312 | € 13,12 |
50 - 90 | € 1,102 | € 11,02 |
100 - 290 | € 0,967 | € 9,67 |
300 - 490 | € 0,838 | € 8,38 |
500+ | € 0,82 | € 8,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
580 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
26 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.71mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Plotis
4.93mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
16.13mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China