Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.7 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.75V
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,264
Each (On a Reel of 25) (be PVM)
€ 0,319
Each (On a Reel of 25) (su PVM)
25
€ 0,264
Each (On a Reel of 25) (be PVM)
€ 0,319
Each (On a Reel of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,264 | € 6,59 |
250 - 475 | € 0,22 | € 5,51 |
500+ | € 0,195 | € 4,88 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.7 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.75V
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.