Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
14.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
5.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Plotis
3.9mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,347
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,42
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25
€ 0,347
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,42
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
14.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
5.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Plotis
3.9mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.