Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
2.39mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,437
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,529
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,437
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,529
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
2.39mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.