Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
67 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
44.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.7 nC @ 10 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
2.39mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,332
Each (On a Reel of 25) (be PVM)
€ 0,402
Each (On a Reel of 25) (su PVM)
25
€ 0,332
Each (On a Reel of 25) (be PVM)
€ 0,402
Each (On a Reel of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,332 | € 8,30 |
125 - 225 | € 0,326 | € 8,14 |
250 - 475 | € 0,321 | € 8,03 |
500 - 2975 | € 0,317 | € 7,93 |
3000+ | € 0,314 | € 7,85 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
67 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
44.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.7 nC @ 10 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
2.39mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of