Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
SOT-227
Serija
HiperFET, Polar
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
38.23mm
Plotis
25.42mm
Transistor Material
Si
Aukštis
9.6mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 33,18
už 1 vnt. (be PVM)
€ 40,15
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 33,18
už 1 vnt. (be PVM)
€ 40,15
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 33,18 |
5+ | € 27,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
SOT-227
Serija
HiperFET, Polar
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
38.23mm
Plotis
25.42mm
Transistor Material
Si
Aukštis
9.6mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS