Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
PLUS264
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.56 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
20.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
355 nC @ 10 V nC
Aukštis
26.59mm
Serija
HiperFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 40,42
už 1 vnt. (be PVM)
€ 48,91
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 40,42
už 1 vnt. (be PVM)
€ 48,91
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 40,42 |
5 - 9 | € 32,34 |
10 - 24 | € 31,50 |
25+ | € 30,76 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
PLUS264
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.56 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
20.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
355 nC @ 10 V nC
Aukštis
26.59mm
Serija
HiperFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V