Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
390 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
83 @ 10 V nC
Plotis
11.05mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
4.83mm
Serija
HiperFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 10,71
už 1 vnt. (be PVM)
€ 12,96
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 10,71
už 1 vnt. (be PVM)
€ 12,96
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 10,71 |
5 - 9 | € 9,14 |
10 - 24 | € 8,72 |
25+ | € 8,30 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
390 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
83 @ 10 V nC
Plotis
11.05mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
4.83mm
Serija
HiperFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C