Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
2 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7 @ 10 V nC
Plotis
10.92mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.41mm
Aukštis
4.7mm
Serija
HiperFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,601
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,727
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,601
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,727
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
2 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7 @ 10 V nC
Plotis
10.92mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.41mm
Aukštis
4.7mm
Serija
HiperFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V