Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
IRF7424PbF
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
€ 2 173,60
€ 0,543 Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 2 630,06
€ 0,657 Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000

€ 2 173,60
€ 0,543 Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 2 630,06
€ 0,657 Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
IRF7424PbF
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C