Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Serija
SIPMOS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.41mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,49
€ 0,899 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 5,43
€ 1,088 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 4,49
€ 0,899 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 5,43
€ 1,088 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,899 | € 4,49 |
50+ | € 0,59 | € 2,95 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Serija
SIPMOS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.41mm