Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
185 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 5 V
Aukštis
2.39mm
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,021
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 1,235
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
€ 1,021
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 1,235
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
185 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 5 V
Aukštis
2.39mm
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C