Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
48 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.83mm
€ 72,20
€ 72,20 1 Tube of 50 (be PVM)
€ 87,36
€ 87,36 1 Tube of 50 (su PVM)
1

€ 72,20
€ 72,20 1 Tube of 50 (be PVM)
€ 87,36
€ 87,36 1 Tube of 50 (su PVM)
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 1 | € 72,20 |
2 - 3 | € 59,85 |
4 - 7 | € 57,48 |
8 - 14 | € 55,10 |
15+ | € 50,35 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
48 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.83mm