Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
205 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
2.39mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
6.22mm
Kilmės šalis
Mexico
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,947
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 1,146
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
€ 0,947
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 1,146
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
75 - 75 | € 0,947 | € 71,03 |
150 - 300 | € 0,899 | € 67,41 |
375+ | € 0,81 | € 60,72 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
205 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
2.39mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
6.22mm
Kilmės šalis
Mexico