Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-247AC
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Plotis
5.3mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Aukštis
20.3mm
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Mexico
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,412
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 4,129
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 3,412
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 4,129
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 3,412 | € 170,62 |
100 - 200 | € 3,255 | € 162,75 |
250+ | € 2,94 | € 147,00 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-247AC
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Plotis
5.3mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Aukštis
20.3mm
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Mexico