Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
3.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Aukštis
1.8mm
Serija
IRFL4310PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,418
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,506
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,418
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,506
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
2500 - 2500 | € 0,418 | € 1 044,75 |
5000+ | € 0,396 | € 989,62 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
3.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Aukštis
1.8mm
Serija
IRFL4310PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V