Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Aukštis
9.8mm
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,575
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,906
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 1,575
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,906
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,575 | € 78,75 |
100 - 200 | € 1,522 | € 76,12 |
250+ | € 1,365 | € 68,25 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Aukštis
9.8mm
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C