Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
18.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.55V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.65V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF9910
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,747
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,904
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,747
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,904
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,747 | € 7,47 |
100 - 240 | € 0,59 | € 5,90 |
250 - 490 | € 0,552 | € 5,52 |
500 - 990 | € 0,514 | € 5,14 |
1000+ | € 0,478 | € 4,78 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
18.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.55V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.65V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF9910
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V