Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
41 nC @ 5 V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7809AV
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,187
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,226
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,187
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,226
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
41 nC @ 5 V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7809AV
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V