Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7470PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,611
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,739
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,611
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,739
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
4000 - 4000 | € 0,611 | € 2 444,40 |
8000+ | € 0,576 | € 2 305,80 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7470PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V