Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7343PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,974
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,179
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,974
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,179
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,974 | € 9,74 |
50 - 90 | € 0,76 | € 7,60 |
100 - 240 | € 0,712 | € 7,12 |
250 - 490 | € 0,662 | € 6,62 |
500+ | € 0,614 | € 6,14 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7343PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V