Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
HEXFET
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,545
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,659
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,545
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,659
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
HEXFET
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si