Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7205PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,209
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,253
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,209
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,253
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7205PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V