Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
HEXFET
Pakuotės tipas
DirectFET ISOMETRIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
7
Maximum Drain Source Resistance
0.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,732
Each (On a Reel of 4800) (be PVM)
€ 2,096
Each (On a Reel of 4800) (su PVM)
4800
€ 1,732
Each (On a Reel of 4800) (be PVM)
€ 2,096
Each (On a Reel of 4800) (su PVM)
4800
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
HEXFET
Pakuotės tipas
DirectFET ISOMETRIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
7
Maximum Drain Source Resistance
0.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si