Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IRF3710ZS
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
82 nC @ 10 V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,68
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 2,033
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 1,68
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 2,033
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,68 | € 16,80 |
50 - 90 | € 1,418 | € 14,18 |
100 - 240 | € 1,312 | € 13,12 |
250 - 490 | € 1,26 | € 12,60 |
500+ | € 1,155 | € 11,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IRF3710ZS
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
82 nC @ 10 V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V