Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
82 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.3V
Serija
IRF3710ZS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.83mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,03
Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 1,246
Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800
€ 1,03
Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 1,246
Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
82 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.3V
Serija
IRF3710ZS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.83mm