Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Aukštis
4.83mm
Serija
IRF1010EZS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,589
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,713
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,589
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,713
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Aukštis
4.83mm
Serija
IRF1010EZS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V