Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Serija
IPP075N15N3 G
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
4.57mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Aukštis
11.17mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,935
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 5,971
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 4,935
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 5,971
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 4,935 | € 246,75 |
100 - 200 | € 4,725 | € 236,25 |
250+ | € 4,252 | € 212,62 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Serija
IPP075N15N3 G
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
4.57mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Aukštis
11.17mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V