Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-252
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + 2 Tab
Maximum Drain Source Resistance
19.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
7.22mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.5mm
Aukštis
2.3mm
Serija
IPD50N10S3L-16
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,867
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,049
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,867
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,049
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-252
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + 2 Tab
Maximum Drain Source Resistance
19.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
7.22mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.5mm
Aukštis
2.3mm
Serija
IPD50N10S3L-16
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101