Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-252
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + 2 Tab
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Aukštis
2.41mm
Serija
IPD320N20N3 G
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,68
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2,033
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 1,68
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2,033
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-252
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + 2 Tab
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Aukštis
2.41mm
Serija
IPD320N20N3 G
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V