Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IPD25CN10N G
Pakuotės tipas
TO-252
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Plotis
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.41mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,155
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,398
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 1,155
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,398
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,155 | € 11,55 |
100 - 240 | € 0,917 | € 9,17 |
250 - 490 | € 0,858 | € 8,58 |
500 - 990 | € 0,799 | € 7,99 |
1000+ | € 0,741 | € 7,41 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IPD25CN10N G
Pakuotės tipas
TO-252
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Plotis
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.41mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V