Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
52 nC @ 10 V
Plotis
7.36mm
Serija
IPD053N08N3 G
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
2.41mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,023
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,238
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 1,023
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,238
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
52 nC @ 10 V
Plotis
7.36mm
Serija
IPD053N08N3 G
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
2.41mm