Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
10.25mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10 V
Serija
IPB64N25S3-20
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.4mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 6,615
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 8,004
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 6,615
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 8,004
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 5 | € 6,615 | € 33,08 |
10 - 20 | € 5,565 | € 27,82 |
25 - 45 | € 5,25 | € 26,25 |
50 - 120 | € 4,882 | € 24,41 |
125+ | € 4,515 | € 22,58 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
10.25mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10 V
Serija
IPB64N25S3-20
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.4mm