Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IPB180N10S4-02
Pakuotės tipas
TO-263
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
7 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
10.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
156 nC @ 10 V
Aukštis
4.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 6,09
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,369
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 6,09
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,369
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 6,09 | € 30,45 |
25 - 95 | € 5,145 | € 25,72 |
100 - 245 | € 4,462 | € 22,31 |
250 - 495 | € 4,20 | € 21,00 |
500+ | € 3,78 | € 18,90 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IPB180N10S4-02
Pakuotės tipas
TO-263
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
7 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
10.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
156 nC @ 10 V
Aukštis
4.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V