Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
OptiMOS™ 5
Pakuotės tipas
TO 263
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
11.05mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
168 nC @ 10 V
Aukštis
4.57mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,088
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,736
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 3,088
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,736
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
OptiMOS™ 5
Pakuotės tipas
TO 263
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
11.05mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
168 nC @ 10 V
Aukštis
4.57mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V