Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.2 kA
Maximum Drain Source Voltage
4500 V
Pakuotės tipas
Tray
Serija
FZ1200
Tvirtinimo tipas
Chassis Mount
Channel Mode
Depletion
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
3
Kilmės šalis
Hungary
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
3 P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray Infineon FZ1200R45HL4S7BPSA1
1

P.O.A.
3 P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray Infineon FZ1200R45HL4S7BPSA1
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.2 kA
Maximum Drain Source Voltage
4500 V
Pakuotės tipas
Tray
Serija
FZ1200
Tvirtinimo tipas
Chassis Mount
Channel Mode
Depletion
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
3
Kilmės šalis
Hungary