Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
450 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Configuration
Dual
Pakuotės tipas
AG-ECONOD
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
P
Kilmės šalis
Austria
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
Infineon FF450R12ME7BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 450 A 1200 V AG-ECONOD, Through Hole
1

P.O.A.
Infineon FF450R12ME7BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 450 A 1200 V AG-ECONOD, Through Hole
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
450 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Configuration
Dual
Pakuotės tipas
AG-ECONOD
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
P
Kilmės šalis
Austria