Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
2.4 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Configuration
Half Bridge
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Channel Type
N
Kilmės šalis
Germany
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
Infineon FF2400R12IP7PBPSA1 Half Bridge IGBT, 2.4 kA 1200 V, Screw Mount
1

P.O.A.
Infineon FF2400R12IP7PBPSA1 Half Bridge IGBT, 2.4 kA 1200 V, Screw Mount
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
2.4 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Configuration
Half Bridge
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Channel Type
N
Kilmės šalis
Germany