Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
1.2 kA
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Pakuotės tipas
Tray
Serija
XHP
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Channel Mode
Depletion
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Kilmės šalis
Germany
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1
1

P.O.A.
Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
1.2 kA
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Pakuotės tipas
Tray
Serija
XHP
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Channel Mode
Depletion
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Kilmės šalis
Germany