Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Pakuotės tipas
AG-EASY1B
Serija
EasyPACK
Kaiščių skaičius
23
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
3
Transistor Material
SiC
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Pasirinkite pakuotės tipą
Gamybinė pakuotė (Dėklas)
1

P.O.A.
3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
Gamybinė pakuotė (Dėklas)
1

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Pakuotės tipas
AG-EASY1B
Serija
EasyPACK
Kaiščių skaičius
23
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
3
Transistor Material
SiC