Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Base Current
100mA
Aukštis
1.6mm
Plotis
3.5mm
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Matmenys
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,113
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,137
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 0,113
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,137
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Base Current
100mA
Aukštis
1.6mm
Plotis
3.5mm
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Matmenys
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas