Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Aukštis
1.6mm
Plotis
3.5mm
Matmenys
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,585
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,708
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 0,585
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,708
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,585 | € 5,85 |
100 - 190 | € 0,233 | € 2,33 |
200 - 390 | € 0,22 | € 2,20 |
400 - 790 | € 0,213 | € 2,13 |
800+ | € 0,206 | € 2,06 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Aukštis
1.6mm
Plotis
3.5mm
Matmenys
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Produkto aprašymas