Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.3 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Serija
BSC12DN20NS3 G
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,155
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,398
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 1,155
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,398
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,155 | € 11,55 |
50 - 90 | € 1,102 | € 11,02 |
100 - 240 | € 1,009 | € 10,09 |
250 - 490 | € 0,907 | € 9,07 |
500+ | € 0,863 | € 8,63 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.3 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Serija
BSC12DN20NS3 G
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V