Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
BSC070N10NS5
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
10.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,628
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,97
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 1,628
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,97
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,628 | € 16,28 |
50 - 90 | € 1,26 | € 12,60 |
100 - 240 | € 1,208 | € 12,08 |
250 - 490 | € 1,102 | € 11,02 |
500+ | € 1,045 | € 10,45 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
BSC070N10NS5
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
10.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V