Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Serija
BSC050N03LS G
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,294
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 0,356
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
€ 0,294
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 0,356
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Serija
BSC050N03LS G