Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
BSC026N08NS5
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
74 nC @ 10 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,308
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 4,003
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 3,308
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 4,003
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 3,308 | € 33,08 |
100 - 490 | € 2,835 | € 28,35 |
500 - 990 | € 2,468 | € 24,68 |
1000 - 2490 | € 2,152 | € 21,52 |
2500+ | € 2,10 | € 21,00 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
BSC026N08NS5
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
74 nC @ 10 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V