Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
69 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37 nC @ 10 V
Plotis
6.35mm
Aukštis
1.1mm
Serija
BSC022N04LS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,628
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 1,97
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
€ 1,628
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 1,97
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5000 - 5000 | € 1,628 | € 8 137,50 |
10000 - 10000 | € 1,575 | € 7 875,00 |
15000+ | € 1,522 | € 7 612,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
69 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37 nC @ 10 V
Plotis
6.35mm
Aukštis
1.1mm
Serija
BSC022N04LS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V