Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
25 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
15 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
25 V
Maximum Emitter Base Voltage
2.5 V
Maximum Operating Frequency
2.5 GHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,093
Each (On a Reel of 250) (be PVM)
€ 0,113
Each (On a Reel of 250) (su PVM)
250
€ 0,093
Each (On a Reel of 250) (be PVM)
€ 0,113
Each (On a Reel of 250) (su PVM)
250
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
250 - 750 | € 0,093 | € 23,36 |
1000 - 2750 | € 0,063 | € 15,75 |
3000 - 5750 | € 0,051 | € 12,86 |
6000+ | € 0,049 | € 12,34 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
25 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
15 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
25 V
Maximum Emitter Base Voltage
2.5 V
Maximum Operating Frequency
2.5 GHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas