Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
90 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6 GHz
Kaiščių skaičius
3
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
€ 378,00
€ 0,126 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 457,38
€ 0,152 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 378,00
€ 0,126 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 457,38
€ 0,152 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
90 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6 GHz
Kaiščių skaičius
3
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas